怎么判断pmos还是nmos
pmos和nmos的尺寸比为什么是2比1？
pmos和nmos的尺寸比为什么是2比1？
由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。所以在反向器中，通常把Pmos做成2～3倍于Nmos的大小，这样P/N驱动能力相同，方向器转折电压大概为VDD/2.这个也跟通道的长度有关，微米工艺和纳米工艺也不太一样。
nmos与pmos驱动能力对比？
NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS（ON）非常小，在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。
NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。
但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况（高端驱动）。 但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
什么是增强型MOS管？
mos管增强型与耗尽型的区别
1、PMOS的值不同。
（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈抄值电压大于0；PMOS，小于0。
（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时袭，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。
2、原理不同。
最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。
3、控制百方法不同。
（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。
（2）、增强型必须使得UGSgtUGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制度的。
扩展资料：
mos管的工作原理：
（1）、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管，知MOS管有很多种类，也有很多作用，做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
（2）、无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
（3）、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存道储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。